Métode pikeun Nyiapkeun polysilicon.

1. Ngamuat

Teundeun crucible quartz coated dina tabel bursa panas, tambahkeun bahan baku silikon, teras masang alat-alat pemanasan, alat-alat insulasi jeung panutup tungku, évakuasi tungku pikeun ngurangan tekanan dina tungku ka 0.05-0.1mbar jeung ngajaga vakum. Ngenalkeun argon salaku gas pelindung pikeun ngajaga tekanan dina tungku dasarna di sabudeureun 400-600mbar.

2. Pemanasan

Paké manaskeun grafit panas awak tungku, mimitina ngejat Uap adsorbed dina beungeut bagian grafit, lapisan insulasi, bahan baku silikon, jeung sajabana, lajeng lalaunan panas nepi ka nyieun hawa tina crucible quartz ngahontal ngeunaan 1200-1300℃. Prosés ieu butuh 4-5 jam.

3. Lebur

Ngenalkeun argon salaku gas pelindung pikeun ngajaga tekanan dina tungku dasarna di sabudeureun 400-600mbar. Saeutik demi saeutik ningkatkeun kakuatan pemanasan pikeun adaptasi suhu dina crucible sakitar 1500℃, sarta bahan baku silikon mimiti ngalembereh. Tetep ngeunaan 1500℃salila prosés lebur nepi ka lebur réngsé. prosés ieu nyokot ngeunaan 20-22 jam.

4. tumuwuhna kristal

Saatos bahan baku silikon dilebur, kakuatan pemanasan diréduksi pikeun ngajantenkeun suhu serelek crucible sakitar 1420-1440.℃, nu mangrupakeun titik lebur silikon. Lajeng crucible quartz laun ngalir ka handap, atawa alat insulasi laun naek, sahingga crucible quartz lalaunan ninggalkeun zone pemanasan sarta ngabentuk bursa panas jeung sabudeureun; dina waktos anu sareng, cai dialirkeun plat cooling pikeun ngurangan suhu ngalembereh ti handap, sarta silikon kristalin munggaran kabentuk di handap. Salila prosés tumuwuhna, antarbeungeut padet-cair salawasna tetep paralel jeung pesawat horizontal dugi tumuwuhna kristal réngsé. prosés ieu nyokot ngeunaan 20-22 jam.

5. Anil

Saatos pertumbuhan kristal réngsé, kusabab gradién suhu anu ageung antara handap sareng luhur kristal, setrés termal tiasa aya dina ingot, anu gampang rusak deui nalika pemanasan wafer silikon sareng persiapan batré. . Ku alatan éta, sanggeus tumuwuhna kristal geus réngsé, ingot silikon diteundeun deukeut titik lebur pikeun 2-4 jam sangkan suhu ingot silikon seragam jeung ngurangan setrés termal.

6. Niiskeun

Saatos ingot silikon ieu annealed dina tungku, mareuman kakuatan pemanasan, ngangkat alat insulasi panas atawa sagemblengna nurunkeun ingot silikon, sarta ngenalkeun aliran badag gas argon kana tungku pikeun laun ngurangan suhu ingot silikon ka deukeut. suhu kamar; dina waktos anu sareng, tekanan gas dina tungku laun naek nepi ka ngahontal tekanan atmosfir. Prosés ieu nyokot ngeunaan 10 jam.